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AEC-Q200试验条件


  AEC-Q200试验条件

  说明:AEC-Q200的环境试验条件,主要是依据MIL-STD-202与JEDEC22A-104规范来制定的,不同零件的试验温度除了不一样之外,其施加电源(电压、电流、负载)要求也会有所不同,高温储存属于不施加偏压与负载,但是在高温工作寿命就需要,温度循环与温度冲击,其试验目的与手法不一样,在温度循环中高低温变化需控制温变率,温冲击则不用,偏高湿度就是俗称的高温高湿试验,而湿度抵抗就是湿冷冻试验

  试验条件注意事项:1000h试验过程需在250h、500h进行间隔量测

  高温储存(MIL-STD-202-108):[适用设备:THS]

  薄膜电容、网络低通滤波器、网络电阻、热敏电阻、可变电容、可变电阻、陶瓷共鸣器、EMI干扰抑制器、EMI干扰过滤器:85℃/1000h

  电感、变压器、电阻:125℃/1000h

  变阻器:150℃/1000h

  钽电容、陶瓷电容、铝电解电容:最大额定温度/1000h

  高温工作寿命(MIL-STD-202-108):[适用设备:THS]

  网络低通滤波器、网络电阻:85℃/1000h

  EMI干扰抑制器、EMI干扰过滤器:85℃/1000h/施加额定IL

  钽电容、陶瓷电容:最大额定温度/1000h/ (2/3)负载/额定电压

  铝电解电容、电感、变压器:105℃/1000h

  薄膜电容:1000h/(85℃/125%额定电压、105℃&125℃/100%额定电压)

  自恢复保险丝:125℃/1000h

  电阻、热敏电阻、可变电容:125℃/1000h/额定电压

  可变电阻:125℃/1000h/额定功率

  变阻器:125℃/1000h/额定电压85%+ma电流

  陶瓷共鸣器:85℃/1000h/额定VDD+1MΩ,并联逆变器,在每个晶体脚和地之间有2X的晶体CL电容

  石英震荡器:125℃/1000h/额定VDD+1MΩ,并联逆变器,在每个晶体脚和地之间有2X的晶体CL电容

  温度循环(JEDEC22A-104):[适用设备:TSR、ESS]

  薄膜电容、可变电容、可变电阻、陶瓷共鸣器、EMI干扰抑制器、EMI干扰过滤器:-55℃(30min)←→85℃(30min)/RAMP(15℃/min)/1000cycles

  钽电容、陶瓷电容、电阻、热敏电阻: -55℃(30min)←→125℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles

  铝电解电容:-40℃(30min)←→105℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles

  电感、变压器、变阻器、石英震荡器、自恢复保险丝:-40℃(30min)←→125℃(30min)/RAMP(15℃/min)/1000cycles

  网络低通滤波器、网络电阻:-55℃(30min)←→125℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles

AEC-Q200试验条件

  温度冲击(MIL-STD-202-107):[适用设备:TC、TSK]

  自恢复保险丝:-40℃(15min)←→125℃(15min)/300cycles

  偏高湿度(MIL-STD-202-103):[适用设备:THS]

  钽电容、陶瓷电容:85℃/85%R.H./1000h/电压1.3~1.5V

  电感&变压器:85℃/85%R.H./1000h/不通电

  铝电解电容:85℃/85%R.H./1000h/额定电压

  EMI干扰抑制器、EMI干扰过滤器:85℃/85%R.H./1000h/额定电压&电流

  电阻、热敏电阻:85℃/85%R.H./1000h/工作电源10%

  自恢复保险丝:85℃/85%R.H./1000h/额定电流10%

  可变电容、可变电阻:85℃/85%R.H./1000h/额定功率10%

  网络低通滤波器&网络电阻:85℃/85%R.H./1000h/电压[网络电容(额定电压)、网络电阻(10%额定功率)]

  变阻器:85℃/85%R.H./1000h/额定电压85%+ma电流

  石英震荡器、陶瓷共鸣器:85℃/85%R.H./1000h/额定VDD+1MΩ,并联逆变器,在每个晶体脚和地之间有2X的晶体CL电容

  薄膜电容:40℃/93%R.H./1000h/额定电压


  湿度抵抗(MIL-STD-202-106):[适用设备:THS]

  薄膜电容:(25℃←→65℃/90%R.H.*2cycle)/18h→-10℃/3h,每一cycle共24h,step7a&7b不通电

AEC-Q200试验条件

 

  AEC-Q200专有名词整理:

简称 中文 英文 说明
8D 解决问题方法    
AEC 汽车电子设备协会 Automotive Electronic Council 由车厂[克赖斯勒(Chrysler)、福特(Ford)、通用汽车(GM)]发起并创立于1994年,目前会员遍及全球各大汽车厂、汽车电子与半导体厂商。
AEC-Q001 零件平均测试指导原则    
AEC-Q002 统计式良品率分析的指导原则    
AEC-Q003 芯片产品的电性表现特性化的指导原则    
AEC-Q005 无铅测试要求    
AEC-Q100 基于集成电路应力测试认证的失效机理   规范了零件供货商所必须达成的产品质量与可靠度,试验条件多仍以JEDEC或MIL-STD为主,外加上其它独立建置的测试手法。
AEC-Q100-001 邦线切应力测试    
AEC-Q100-002 人体模式静电放电测试    
AEC-Q100-003 机械模式静电放电测试    
AEC-Q100-004 集成电路闩锁效应测试    
AEC-Q100-005 可写可擦除的永久性记忆的耐久性、数据保持及工作寿命的测试    
AEC-Q100-006 热电效应引起的寄生闸极漏电流测试    
AEC-Q100-007 故障仿真和测试等级    
AEC-Q100-008 早期寿命失效率(ELFR)    
AEC-Q100-009 电分配评估    
AEC-Q100-010 锡球剪切测试    
AEC-Q100-011 带电器件模式的静电放电测试    
AEC-Q100-012 12V系统灵敏功率设备的短路可靠性描述    
AEC-Q101 汽车级半导体分立器件应力测试认证    
AEC-Q200 无源器件应力测试标准    
AEC-Q200-001 阻燃测试    
AEC-Q200-002 人体模式静电放电测试    
AEC-Q200-003 横梁负载、断裂强度    
AEC-Q200-004 自恢复保险丝测量程序    
AEC-Q200-005 板弯曲度测试    
AEC-Q200-006 表面贴装后的剪切强度测试    
AEC-Q200-007 电涌测试    
  汽车等级认证 Automotive Grade Qualification  
DWV 耐压    
DPM 百万缺陷数 defect per million 半导体组件的缺陷率
EIA-469 破坏性的物理分析    
EIA-198 陶瓷电介质电容器    
EIA-535 钽电容    
ESD 静电放电    
EWS 电性晶圆测试 Eletrical Wafer Sort  
FIT 故障时间    
HRCF 高可靠性认证流程 High Reliability Certified Flow  
IEC 10605 静电放电人体模式    
ISO-26262 车辆机能安全    
ISO-7637-1 道路车辆电子干扰    
JEDEC-STD-002 可焊性规格    
JEDEC-STD-121 测量锡和锡合金表面涂层的锡须生长测试方法    
JEDEC-STD-201 锡和锡合金表面涂层的锡须环境验收要求    
JEDEC22A-104 温度循环    
MIL-PRF-27 电感/变压器的测试方法    
MIL-STD-202 国防部标准电子及电气组件测试方法    
NEMI 东京锡须会议    
PPAT 参数零件平均测试 Parametric Part Average Testing  
PPB 十亿分之一 Parts Per Billion  
  筛选方法 Screening Method  
SYA 统计性良率分析 Statistical yield analysis  
  应力测试 Stress Test  
UL-STD-94 塑料材料可燃性测试